特許
J-GLOBAL ID：200903025769227510
電界放射型素子の製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
伊丹 勝
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-300555
公開番号（公開出願番号）：特開平8-227654
出願日： 1995年10月25日
公開日（公表日）： 1996年09月03日
要約：
【要約】【課題】 曲率及び頂角共に小さいエミッタ先端をもつ高性能の電界放射型素子の製造方法を提供する。【解決手段】 基板10の表面に垂直側壁をもつ凹部11を形成した後、スパッタエッチングによって凹部1にテーパ加工を施す。そしてこの基板10上に、表面に先鋭な凹部14が反映された状態で犠牲膜12を堆積する。この犠牲膜12上にエミッタ電極膜13を堆積して、先端が先鋭な微小陰極を形成し、この微小陰極をその下の不要な材料をエッチング除去して露出させる。
請求項（抜粋）：
基板の表面に垂直又はほぼ垂直な側壁をもつ凹部を形成する工程と、前記凹部の少なくとも上部にテーパを形成する工程と、前記テーパが形成された凹部を有する基板上に犠牲膜を堆積する工程と、前記犠牲膜上に導電膜を堆積してエミッタを形成する工程と、前記エミッタをその下の不要な材料をエッチング除去して露出させる工程とを有することを特徴とする電界放射型素子の製造方法。
IPC (2件)：
FI (2件)：
H01J 9/02 B
, H01J 1/30 C
