特許

J-GLOBAL ID：200903025769830861

低エネルギー中性粒子線を用いた微細加工装置

発明者： 西村 達也 ,  鈴木 秀直
出願人/特許権者： 株式会社荏原製作所
代理人 (1件)： 渡邉 勇 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-342496
公開番号（公開出願番号）：特開平7-169746
出願日： 1993年12月14日
公開日（公表日）： 1995年07月04日
要約：

【要約】【目的】 次世代あるいは次々世代の半導体素子の製造やマイクロマシニングに有効な微細加工技術を実現するため、高密度、低エネルギーで指向性の高い中性粒子線を発生させ、この中性粒子線と反応性ガスとの相乗効果により微細加工を可能とする微細加工装置を提供する。【構成】 高密度プラズマを生成するプラズマ室1と、プラズマ室1から低エネルギーのイオンビームを引き出す電極4と、反応性ガスを供給しイオンビームと接触させて電荷交換を行い中和する中和室5と、中和室5で生成された中性粒子線を被加工物に導く電極7とを備えた。

請求項（抜粋）：

高密度プラズマを生成するプラズマ室と、該プラズマ室から低エネルギーのイオンビームを引き出す電極と、反応性ガスを供給し前記イオンビームと接触させて電荷交換を行い中和する中和室と、該中和室で生成された中性粒子線を被加工物に導く電極とを備えたことを特徴とする低エネルギー中性粒子線を用いた微細加工装置。

IPC (5件)：

H01L 21/3065 ,  C23F 4/02 ,  G21K 1/00 ,  H05H 1/46 ,  H05H 3/02

引用特許：

審査官引用 (4件)

• 特開平4-180621
  
• プラズマ処理装置及び方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平4-141859   出願人：川崎製鉄株式会社
• 特開平4-206721
  
• 特開平4-293779