特許
J-GLOBAL ID：200903025773380650
電荷光学プローブ
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
草野 卓
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-164423
公開番号（公開出願番号）：特開平5-013522
出願日： 1991年07月04日
公開日（公表日）： 1993年01月22日
要約：
【要約】【目的】 半導体装置の電気的状態を非接触で検出すると共に電圧分解能、時間分解能を高くする。【構成】 レーザ光源11からの光ビームを光偏向器21を通し、反射鏡22で反射させ、集光レンズ23を通じて半導体装置13のPN接合領域に入射させる。その入射点における電荷密度に応じた反射率で反射された光ビーム27を集光レンズ23を通し、反射鏡28を介して受光器29で受光して電気信号に変換する。半導体装置13に信号発生器18からの信号を入力して動作させ、その信号と、受光器29から得られる反射点の電荷密度と対応した電気信号とから、その半導体装置のその反射点での動作状態を制御処理装置25で検出する。
請求項（抜粋）：
光源と、その光源からの光ビームを半導体装置に入射する手段と、その半導体装置からの上記光ビームの反射光又は透過光を受光して電気信号に変換する受光手段と、上記変換された電気信号から上記半導体装置の光ビーム入射位置における電荷密度と対応した信号を検出する手段と、を具備する電荷光学プローブ。
IPC (2件)：
引用特許：
前のページに戻る
