特許

J-GLOBAL ID：200903025775519248

単一拡散工程によるMOSゲ-ト半導体デバイスの製造法

発明者： ジョン エム,エス.ニールソン ,  リンダ エス.ブラッシュ ,  フランク スタンスニー ,  ジョン エル.ベンジャミン ,  アナップ バーラ ,  クリストファー エル.レクサー ,  リチャード ダグラス ストークス ,  クリストファー ビー.ココン ,  ルイーズ イー.スカーキー ,  クリストファー エム.スカーバ
出願人/特許権者： ハリス・コーポレーション
代理人 (1件)： 平田 忠雄
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-184921
公開番号（公開出願番号）：特開平11-074287
出願日： 1998年06月30日
公開日（公表日）： 1999年03月16日
要約：

【要約】 (修正有)【課題】 拡散工程の数が少ないMOSゲ-ト半導体デバイスの製造法を提供することである。【解決手段】 ヒ素ド-パントをマスクを介して注入して第1の層を形成し、ホウ素ド-パントをマスクを介して注入して第1の層より深い第2の層を形成し、単一拡散工程で注入したヒ素及び注入したホウ素を同時に拡散させてN+ソ-ス領域をもつP+本体領域及びP形チャネル領域を形成するMOSゲ-ト半導体デバイスの製造法。

請求項（抜粋）：

半導体基板の表面に、少なくとも1つの開口を有するマスクを形成し、該マスクを介して少なくとも1つのMOSゲ-ト半導体デバイスに、対応するソ-ス領域、対応する本体領域、及び対応するチャネル領域を形成する工程;前記少なくとも1つの開口を介して第1の用量及び第1のエネルギ-レベルで第1の導電率形ド-パントを注入して第1の層を形成する工程;前記少なくとも1つの開口を介して第2の用量及び第2のエネルギ-レベルで第1の導電率形ド-パントより速い拡散速度をもつ第2の導電率形ド-パントを注入して第1の層より深い第2の層を形成する工程;及び単一拡散工程で、注入した第1及び第2の導電率形ド-パントを拡散させて、半導体基板に第2の導電率形を有する少なくとも1つの前記本体領域、第1の導電率形を有する少なくとも1つの前記ソ-ス領域、及び第2の導電率形及び前記本体領域のド-パント濃度より低いド-パント濃度を有する少なくとも1つの前記チャネル領域を形成する工程から成ることを特徴とするMOSゲ-ト半導体デバイスの製造法。

IPC (2件)：

H01L 21/336 ,  H01L 29/78

FI (3件)：

H01L 29/78 658 B ,  H01L 29/78 652 D ,  H01L 29/78 652 M