特許

J-GLOBAL ID：200903025775693868

半導体装置およびその製造方法

発明者： 一法師 隆志 ,  須賀原 和之
出願人/特許権者： 三菱電機株式会社
代理人 (1件)： 深見 久郎 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-140800
公開番号（公開出願番号）：特開平5-166839
出願日： 1992年06月01日
公開日（公表日）： 1993年07月02日
要約：

【要約】【目的】 SOI構造の半導体装置の製造方法において熱処理や酸化処理によって、または研磨処理によって単結晶半導体層に新たに結晶欠陥が発生することを防止する。結晶欠陥の発生が抑制され、特性のばらつきが小さい能動素子を備えたSOI構造の半導体装置を提供する。【構成】 絶縁層の上に形成された非単結晶半導体層が所定の温度分布を有するように溶融させることにより、非単結晶半導体層を単結晶化させる(501)。得られた単結晶半導体層に熱処理を施す前に溶融時の高温部に対応する部分を選択的に除去する(502)。得られた島状単結晶半導体層に能動素子を形成する(504)。能動素子を形成する前に島状単結晶半導体層の表面を研磨によって平滑にしてもよい(503)。島状単結晶半導体層は結晶亜粒界を含まない。

請求項（抜粋）：

再結晶シリコン層を有する半導体装置であって、絶縁体層と、前記絶縁体層の表面上に形成され、結晶亜粒界を含まない単結晶シリコン島と、前記単結晶シリコン島内に形成された領域を含むトランジスタとを備えた、半導体装置。

IPC (4件)：

H01L 21/336 ,  H01L 29/784 ,  H01L 21/20 ,  H01L 27/12

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 特開平1-187873
  
• 特開昭60-147111
  
• 特開平2-007415