特許

J-GLOBAL ID：200903025777942458

pn接合素子及びその製造方法

発明者： 白石 誠司
出願人/特許権者： ソニー株式会社
代理人 (1件)： 逢坂 宏
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-346614
公開番号（公開出願番号）：特開2004-179564
出願日： 2002年11月29日
公開日（公表日）： 2004年06月24日
要約：

【課題】p型領域とn型領域とを選択的に覆う被覆層を持たない筒状炭素分子からなるpn接合素子、及びその製造方法を提供すること。【解決手段】シリコン基板表面に酸化シリコン膜を形成し、その上に第1の電極3及び第2の電極4を形成する。この上に、p型カーボンナノチューブ1をよく分散させた分散液を塗布した後、溶媒を蒸発させ、p型カーボンナノチューブ1が第1の電極3及び第2の電極4に側面で電気的に接続した状態(図1(a))を形成する。この上に、蒸着等によって金などの層を形成し、電子ビームリソグラフィにより不要部を除去して、通電加熱用電極6を形成する(図1(b))。第2の電極4と通電加熱用電極6との間のp型カーボンナノチューブ1に通電して加熱し、吸着されていた酸素を脱着させ、この領域のカーボンナノチューブをn型化し、通電されずp型のままの領域1との間にpn接合を形成する(図1(c))。【選択図】 図1

請求項（抜粋）：

ガスの吸着によってp型の導電型を示すp型領域と、前記ガスの脱着によってn型の導電型を示すn型領域とが接合され、かつ、前記p型領域又は前記n型領域を選択的に覆う被覆層を持たない筒状炭素分子からなる、pn接合素子。

IPC (8件)：

H01L29/06 ,  H01L21/329 ,  H01L21/331 ,  H01L21/8238 ,  H01L27/092 ,  H01L29/73 ,  H01L29/786 ,  H01L29/861

FI (8件)：

H01L29/06 601N ,  H01L29/91 Z ,  H01L29/91 A ,  H01L29/72 Z ,  H01L29/78 613A ,  H01L29/78 618B ,  H01L27/08 321A ,  H01L29/91 F

Fターム (20件)：

5F003BM01 ,  5F003BN01 ,  5F048AA01 ,  5F048AC03 ,  5F048BA14 ,  5F048BA16 ,  5F048BB01 ,  5F048BB05 ,  5F048BC15 ,  5F048BD01 ,  5F110AA16 ,  5F110BB04 ,  5F110CC03 ,  5F110DD05 ,  5F110EE08 ,  5F110FF02 ,  5F110GG01 ,  5F110GG42 ,  5F110HK02 ,  5F110NN02

引用文献：

審査官引用 (1件)

• Carbon Nanotube Inter- and Intramolecular Logic Gates