半導体装置

発明者： , , , ,
出願人/特許権者： , ,
代理人 (8件)：鈴江武彦 , 河野哲 , 中村誠 , 蔵田昌俊 , 峰隆司 , 福原淑弘 , 村松貞男 , 橋本良郎
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2007-231740
公開番号（公開出願番号）：特開2009-064970
出願日： 2007年09月06日
公開日（公表日）： 2009年03月26日
要約：

【課題】信頼性の高いゲート絶縁膜を備えたSiC半導体装置を提供する。【解決手段】8度以下のオフ角度を有する炭化珪素基板(1)と、この基板上に形成された第1導電型の第1炭化珪素領域(2)と、この領域の表面に形成された第2導電型の第2炭化珪素領域(3)と、この領域の表面に形成され、不純物濃度が第2の炭化珪素領域と同程度に調整された第1導電型の第3炭化珪素領域(4)と、この領域の表面に選択的に形成された第1導電型の第4炭化珪素領域(5)と、第2炭化珪素領域の表面に形成された第2導電型の第5炭化珪素領域(6)と、第1炭化珪素領域から第3炭化珪素領域の少なくとも端部までを覆うように形成されたゲート絶縁膜(7)と、この上に形成されたゲート電極(8)とを具備し、第3炭化珪素領域の表面における、第3と第4炭化珪素領域の境界面は、オフ角度方向と90°以外の角度で交差するように形成されている。【選択図】図2

請求項（抜粋）：

炭化珪素よりなり、基板表面の法線ベクトルが<0001>方向もしくは<000-1>方向に対して8度以下のオフ角度を有する半導体基板と、前記半導体基板上に形成された第1導電型の第1の炭化珪素領域と、前記第1の炭化珪素領域の表面に形成された第2導電型の第2の炭化珪素領域と、前記第2の炭化珪素領域の表面に選択的に形成され、不純物濃度が前記第2の炭化珪素領域と同程度に調整された第1導電型の第3の炭化珪素領域と、前記第3の炭化珪素領域の表面に選択的に形成され、不純物濃度が前記第3の炭化珪素領域より高い第1導電型の第4の炭化珪素領域と、前記第2の炭化珪素領域の表面に選択的に形成され、不純物濃度が前記第2の炭化珪素領域より高い第2導電型の第5の炭化珪素領域と、前記第1の炭化珪素領域から、前記第2の炭化珪素領域を介して、前記第3の炭化珪素領域の少なくとも端部までを覆うように形成されたゲート絶縁膜と、前記ゲート絶縁膜上に形成されたゲート電極と、前記第4及び第5の炭化珪素領域上に形成された第1の主電極と、前記半導体基板の裏面に形成された第2の主電極と、を具備し、前記第3の炭化珪素領域の表面における、前記第3の炭化珪素領域と前記第4の炭化珪素領域との境界面は、前記オフ角度方向と90°以外の角度で交差するように形成されていることを特徴とする半導体装置。

IPC (4件)：

H01L 29/12 , H01L 29/78 , H01L 21/76 , H01L 29/739

FI (10件)：

H01L29/78 652T , H01L29/78 301B , H01L29/78 301Q , H01L29/78 652D , H01L29/78 652B , H01L29/78 652N , H01L29/78 652R , H01L29/78 655A , H01L29/78 652G , H01L29/78 652S

Fターム (26件)：

5F140AA00 , 5F140AA25 , 5F140AC21 , 5F140AC23 , 5F140AC24 , 5F140BA02 , 5F140BA16 , 5F140BA20 , 5F140BB15 , 5F140BC06 , 5F140BC12 , 5F140BD18 , 5F140BE07 , 5F140BF01 , 5F140BF04 , 5F140BF44 , 5F140BG28 , 5F140BG37 , 5F140BH17 , 5F140BH19 , 5F140BH21 , 5F140BH30 , 5F140BH43 , 5F140BH47 , 5F140BK13 , 5F140BK21

引用特許：

出願人引用 (1件)

米国特許4,912,064号公報

審査官引用 (4件)

半導体装置およびその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2004-243853 出願人：松下電器産業株式会社
絶縁ゲート型炭化ケイ素半導体装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平8-255211 出願人：富士電機株式会社
半導体装置
公報種別：公開公報出願番号：特願2005-331669 出願人：株式会社東芝

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