特許

J-GLOBAL ID：200903025796848209

半導体装置

発明者： 小田 雄二
出願人/特許権者： 株式会社東芝
代理人 (1件)： 大胡 典夫 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-195297
公開番号（公開出願番号）：特開2001-024118
出願日： 1999年07月09日
公開日（公表日）： 2001年01月26日
要約：

【要約】【課題】 熱抵抗の低い半導体装置を提供すること。【解決手段】 回路基板11と、動作時に発熱するFET16が一部に形成され、回路基板11上に配置される半導体チップ12とを具備した半導体装置において、半導体チップ12上に設けられた複数の金属バンプ17a、17b、17cと、この複数の金属バンプ17a、17b、17c上に設けられたダイヤモンドチップ18とを有している。

請求項（抜粋）：

回路基板と、動作時に発熱する発熱素子が一部に形成され、前記回路基板上に配置される半導体チップとを具備した半導体装置において、前記半導体チップ上に設けられた複数の導電性部材と、この複数の導電性部材上に設けられたダイヤモンドチップとを有することを特徴とする半導体装置。

IPC (2件)：

H01L 23/373 ,  H01L 23/36

FI (2件)：

H01L 23/36 M ,  H01L 23/36 D

Fターム (5件)：

5F036AA01 ,  5F036BA23 ,  5F036BB21 ,  5F036BC06 ,  5F036BD16