特許
J-GLOBAL ID：200903025797907772
静電吸着ステージおよびその使用方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
小池 晃 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-093849
公開番号（公開出願番号）：特開平6-283595
出願日： 1993年03月30日
公開日（公表日）： 1994年10月07日
要約：
【要約】【目的】 プラズマ・チャンバ内における主プラズマの有無と無関係に単極式静電吸着機構を動作させ、ウェハの十分な予備冷却や吸脱着を行う。【構成】 内部電極2を内蔵する誘電体ブロック1を貫通しウェハ載置面1aに開口する絶縁シリンダ8を設け、この中にHe等の補助プラズマ生成用ガスを導入し、該絶縁シリンダ8内に収容された補助電極9にRF電力を印加してウェハWの裏面との間で補助プラズマP1 を生成させる。この補助プラズマP1 を介してアースからウェハWへの電荷蓄積(矢印D1 )、またはウェハWからアースへの残留電荷の放電を行う。従来の単極式静電吸着機構と異なり、主プラズマが存在しなくても対向アースをとれるので、ウェハW表面に既に形成されたパターンの異方性形状が劣化したり、下地選択性が低下する虞れがない。
請求項（抜粋）：
基板を載置するための誘電体ブロックと、前記誘電体ブロックに埋設される単一の内部電極に接続される直流電圧印加手段と、絶縁壁材により前記内部電極から絶縁され、一端が前記誘電体ブロックの基板載置面に開口される中空部と、前記中空部内に補助プラズマ生成用ガスを導入するガス導入手段と、前記中空部内において前記基板載置面から所定の距離を隔てた位置に設置される補助電極と、前記補助電極に放電開始電圧以上の電圧を印加する電圧印加手段とを備え、前記基板載置面に載置される基板の裏面と前記補助電極との間で前記補助プラズマ生成用ガスを放電解離させて補助プラズマを生成するようになされた静電吸着ステージ。
IPC (2件)：
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