特許

J-GLOBAL ID：200903025799006594

CCD映像センサ及びその製造方法

発明者： ソ・ギュ・リ ,  シンジ・ウヤ
出願人/特許権者： ゴールド スター エレグトロン カンパニー リミテッド
代理人 (1件)： 山川 政樹
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-165988
公開番号（公開出願番号）：特開平6-216361
出願日： 1993年06月14日
公開日（公表日）： 1994年08月05日
要約：

【要約】 (修正有)【目的】 CCD映像センサの製造工程を単純化させることができ、長波長の特性を改善させ、スミアリング現象を改善することができるCCD映像センサおよび製造方法を提供することにある。【構成】 CCD映像センサは、グランドに連結される第1導電型半導体基板30、第1導電型半導体基板30の表面内に形成され、ブルーミング防止層の機能を行う第2導電型不純物領域、第1導電型半導体基板30の表面内に第2導電型不純物領域を覆うように形成され、かつ電位障壁層の機能を行う第1導電型不純物領域58、第1導電型半導体基板30の表面内に前記第1導電型不純物領域58を覆うように形成され、かつ受光領域のブルーミング防止層の機能を行う第2導電型不純物領域59の両側エッジ部分にそれぞれコンタクト孔を有する絶縁膜60、そのコンタクト孔内に詰め込まれたシリサイド膜61、シリサイド膜61間の絶縁膜を除いた絶縁膜の残余部分とシリサイド膜の表面上に形成され一つの電圧源に連結される光遮蔽導電膜63、を備える。

請求項（抜粋）：

グランドに連結される第1導電型半導体基板;第1導電型半導体基板の表面から内側に形成され、ブルーミング防止層の機能を行う第2導電型不純物領域;第1導電型半導体基板内に第2導電型不純物領域を覆うように形成され、かつ電位障壁層の機能を行う第1導電型不純物領域;第1導電型半導体基板内に前記第1導電型不純物領域を覆うように形成され、かつ受光領域の機能を行う第2導電型不純物領域;第1導電型半導体基板の表面上に形成され、かつブルーミング防止層の機能を行う第2導電型不純物領域の両側エッジ部分にそれぞれコンタクト孔を有する絶縁膜;前記コンタクト孔内に詰め込まれたシリサイド膜;前記シリサイド膜間の部分を除いた絶縁膜の残余部分とシリサイド膜の表面上に形成され電圧源に連結される光遮蔽導電膜;を備えることを特徴とするCCD映像センサ。

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 特開平3-060159
  
• 特開平4-094277
  
• 特開昭64-051620