特許
J-GLOBAL ID：200903025804018040
X線露光方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
井桁 貞一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-089158
公開番号（公開出願番号）：特開平5-291116
出願日： 1992年04月10日
公開日（公表日）： 1993年11月05日
要約：
【要約】【目的】 X線露光方法、特にポジ型X線レジスト膜に微細パターンと幅広パターンとを同時に転写する場合のX線露光方法に関し、得られる幅広のレジストパターン内のレジスト残膜発生を防止することを目的とする。【構成】 ポジ型X線レジスト膜2を被着した基板1をX線マスク3に近接させ、微細パターンの転写に適した露光量で露光を行った後、基板1をX線マスク3から離隔して少量の追加露光を行う。
請求項（抜粋）：
微細透光パターン(3a)と幅広透光パターン(3b)とが混在するX線マスク(3) を介して基板(1) 上のポジ型レジスト膜(2) をX線露光する方法であって、該基板(1) を該X線マスク(3) に近接させて第一の露光を行った後、該基板(1) を該X線マスク(3) から離隔して該第一の露光より露光量が少ない第二の露光を行うことを特徴とするX線露光方法。
IPC (3件)：
H01L 21/027
, G03F 7/20 503
, G03F 7/20 521
H01L 21/30 331 E
, H01L 21/30 301 C
