特許
J-GLOBAL ID：200903025806151058
半導体混成集積回路
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
佐藤 正年 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-050105
公開番号（公開出願番号）：特開平5-183147
出願日： 1991年02月25日
公開日（公表日）： 1993年07月23日
要約：
【要約】【目的】 実装コストの低減を図り、かつ、外来ノイズの影響を少なくして、高周波特性の劣化を防ぐ。【構成】 半導体光素子11は、第1のプリント配線板1上に搭載され、透明樹脂14で封止されている。一方、周辺回路部品18は、第2のプリント配線板2上に半田リフロー法等の方法で自動搭載されている。第1及び第2のプリント配線板1,2は、接着層3を介して非搭載面側が接合されており、第2のプリント配線板2の開口部4を通して半田19により導通接続(半田ブリッジ法)されている。第2のプリント配線板2の接合面側の導体層13aは、シールド層として機能する。
請求項（抜粋）：
透明樹脂で封止された半導体光素子と、該半導体光素子の周辺回路を構成する電子部品と、前記半導体光素子及び前記電子部品を搭載するプリント配線板を有する半導体混成集積回路において、前記半導体光素子を搭載する第1のプリント配線板と、前記電子部品を搭載する第2のプリント配線板とを備え、前記第1のプリント配線板の少なくとも一部と前記第2のプリント配線板の少なくとも一部が接合されたことを特徴とする半導体混成集積回路。
IPC (3件)：
H01L 27/15
, H01L 23/28
, H01L 33/00
