光電変換素子

発明者： , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：高野明近 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-082847
公開番号（公開出願番号）：特開平10-284743
出願日： 1997年04月01日
公開日（公表日）： 1998年10月23日
要約：

【要約】【課題】透明導電膜を用いる光電変換素子において、キャリアロスを低減し、短絡電源密度を上げ、開放電圧を向上させて十分変換効率の高い当該素子を提供する。【解決手段】ガラス基板1と裏面反射電極層7との間の積層される光電変換素子のpin層3,4及び5のp層3と接する側の電極2をp型透明導電膜とし、光電変換層のp層3を薄膜化あるいは電極2と兼用することにより省略し得る。p型透明導電膜2は金属酸化物であり、その金属は1価の銀、1価の銅、1価の金、1価のタリウム、2価の鉛、3価のビスマス、1価のインジウム、2価の錫、3価のアンチモンの中少なくとも二つ以上を含むものとする。

請求項（抜粋）：

p型半導体層、i型半導体層、n型半導体層及び電極を具備する光電変換素子において、前記p型半導体層と接する側の電極としてp型半導体を用いるようにしたことを特徴としてなる光電変換素子。

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