特許
J-GLOBAL ID：200903025807745563
半導体記憶装置
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
土屋 勝
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-107902
公開番号（公開出願番号）：特開平8-279600
出願日： 1995年04月07日
公開日（公表日）： 1996年10月22日
要約：
【要約】【目的】 メモリセルセルアレイの何れの部分においても均一な幅のパターンを形成する。【構成】 複数のメモリセルアレイ13の各々の外周部にダミーパターン12が設けられている。このため、メモリセルアレイ13のうちで他のメモリセルアレイ13と隣接していない外周部近傍におけるパターン16とそれ以外の部分におけるパターン16とでレジストの膜厚に差が生じないのみならず、他のメモリセルアレイ13と隣接している外周部近傍におけるパターン16とそれ以外の部分におけるパターン16とでもパターン間近接効果に差が生じない。
請求項（抜粋）：
メモリセルアレイに設けられているパターンのうちで複数の前記メモリセルアレイの各々の外周部における前記パターンが、メモリセルを構成していないダミーパターンであることを特徴とする半導体記憶装置。
IPC (3件)：
H01L 27/108
, H01L 21/8242
, H01L 27/10 471
H01L 27/10 681 E
, H01L 27/10 471
