特許

J-GLOBAL ID：200903025810715462

薄膜太陽電池の製造方法

発明者： 佐々木 隆興
出願人/特許権者： 富士電機株式会社
代理人 (1件)： 山口 巖
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-026412
公開番号（公開出願番号）：特開平8-222749
出願日： 1995年02月15日
公開日（公表日）： 1996年08月30日
要約：

【要約】【目的】薄膜太陽電池の光入射側にある透明電極層を基板の貫通孔を介して基板裏面の接続電極層と接続する場合に、接続抵抗を小さくするため透明電極の貫通孔内への回り込み部を厚くしようとすると、透明電極を透過する光の量が少なくなる問題を解決する。【構成】接続抵抗を小さくするのに十分な厚い透明電極層を成膜ののち、プラズマエッチングで基板上の透明電極層の上層部を除去して光学的に最適な厚さとし、貫通孔内には成膜の際に回り込んだ厚さのままで残す。

請求項（抜粋）：

貫通孔の開けられた絶縁性基板上に半導体薄膜よりなる光電変換層が両電極層ではさんで形成され、光電変換層の反基板側にある電極層が透明であり、この透明電極の前記貫通孔内の回り込み部が基板裏面に形成された接続電極層の貫通孔内の回り込み部と接触することにより、起電力が基板裏面の接続電極層へ引き出される薄膜太陽電池の製造方法において、透明電極層成膜工程後、基板上部のこの透明電極層を上層部分を除去して薄くする工程を備えたことを特徴とする薄膜太陽電池の製造方法。