特許

J-GLOBAL ID：200903025812838596

シリコンウエーハの熱処理方法

発明者： 西川 英志 ,  中山 孝
出願人/特許権者： 三菱住友シリコン株式会社
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-101303
公開番号（公開出願番号）：特開2003-297839
出願日： 2002年04月03日
公開日（公表日）： 2003年10月17日
要約：

【要約】【課題】 シリコンウエーハを急速加熱・急速冷却装置を用いて熱処理する方法に関し、特に、デバイス工程において十分なゲッタリング能力を発揮するウエーハを得るためのシリコンウエーハの熱処理方法を提供することにある。【解決手段】 窒素ガス単独あるいは窒素ガスと不活性ガスとの混合ガス雰囲気で1150〜1300°Cで1秒以上の第1のRTA処理を行った後、酸化性ガス雰囲気あるいは非酸化性ガス雰囲気で700〜1100°Cで5秒以上の第2のRTA処理を行う。

請求項（抜粋）：

チョクラルスキー法により育成したシリコン単結晶インゴットから作成したシリコンウエーハを急速加熱・急速冷却装置を用いて熱処理する方法において、窒素ガス単独あるいは窒素ガスと不活性ガスとの混合ガス雰囲気で1150〜1300°Cで1秒以上の第1熱処理を行った後、酸化性ガス雰囲気あるいは非酸化性ガス雰囲気で700〜1100°Cで5秒以上の第2熱処理を行うことを特徴とするシリコンウエーハの熱処理方法。

IPC (2件)：

H01L 21/322 ,  H01L 21/26

FI (2件)：

H01L 21/322 Y ,  H01L 21/26 F