特許

J-GLOBAL ID：200903025813954646

熱酸化膜の形成方法

発明者： 深澤 雄二 ,  福元 正人
出願人/特許権者： 株式会社東芝
代理人 (1件)： 須山 佐一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-170151
公開番号（公開出願番号）：特開2000-357688
出願日： 1999年06月16日
公開日（公表日）： 2000年12月26日
要約：

【要約】【課題】 半導体基板上に、窒素濃度分布が制御されトランジスタのゲート絶縁膜等として好適する熱酸化膜を形成する。また、半導体基板へのダメージの少ないプロセスで、領域により異なる膜厚を有する熱酸化膜を形成する。【解決手段】 本発明の熱酸化膜の形成方法では、まず半導体基板上に熱酸化膜を形成した後、この半導体基板を、NOガス等の雰囲気で第1の熱処理を行ない、第1の酸化窒化膜を形成する。次いで、この酸化窒化膜の少なくとも一部を、ウェットエッチングにより除去した後、酸素やNOガスまたはN2 Oガス等の反応性ガス雰囲気で第2の熱処理を行ない、所望の窒素濃度分布を有する第2の酸化窒化膜を形成する。

請求項（抜粋）：

半導体基板上に酸化膜を形成する工程と、前記酸化膜が形成された半導体基板を、窒素を含む分子式を有する第1の反応性ガス雰囲気で第1の熱処理を行ない、酸化窒化膜を形成する工程と、前記酸化窒化膜の少なくとも一部をウェットエッチングにより除去する工程と、少なくとも一部が除去された前記酸化窒化膜を、分子式中に酸素を含む第2の反応性ガス雰囲気で第2の熱処理を行なう工程とを備えたことを特徴とする熱酸化膜の形成方法。

IPC (2件)：

H01L 21/316 ,  H01L 29/78

FI (2件)：

H01L 21/316 S ,  H01L 29/78 301 G

Fターム (18件)：

5F040DA00 ,  5F040DA05 ,  5F040DC01 ,  5F040ED03 ,  5F040FC00 ,  5F040FC22 ,  5F058BA20 ,  5F058BC02 ,  5F058BC11 ,  5F058BE02 ,  5F058BF55 ,  5F058BF62 ,  5F058BF64 ,  5F058BH01 ,  5F058BH03 ,  5F058BH11 ,  5F058BJ01 ,  5F058BJ10