特許

J-GLOBAL ID：200903025814375186

半導体装置およびその製造方法

発明者： アンソニー ホッブス
出願人/特許権者： 富士通株式会社
代理人 (1件)： 井桁 貞一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-050737
公開番号（公開出願番号）：特開平10-247649
出願日： 1997年03月05日
公開日（公表日）： 1998年09月14日
要約：

【要約】【課題】 Alを配線材料として用いる半導体回路の製造において、エレクトロマイグレーションやストレスマイグレーションによって引き起こされるボイドの発生等を防ぎ、特に配線長の長い配線や多層配線構造でのマイグレーション耐性効果を有する配線構造を実現し、これにより信頼性が高く、また寿命の長い半導体装置を提供することを目的とする。【解決手段】 半導体基板上に形成されたAlを主体とする配線層において、配線層中に、配線層の長手方向を横断するAlとは異なる金属を主体とする少なくとも1つの柱状構造体を形成する。【構成】

請求項（抜粋）：

半導体基板上に形成されたAlを主体とする配線層を有する半導体装置において、前記Alを主体とする配線層中に前記配線層の長手方向を横断するAlとは異なる金属を主体とする少なくとも1つの柱状構造体を有することを特徴とする半導体装置。

IPC (2件)：

H01L 21/3205 ,  H01L 21/265

FI (2件)：

H01L 21/88 N ,  H01L 21/265 Z