特許
J-GLOBAL ID：200903025815347950
医薬経皮吸収投与装置のリザーバを充填する小型弁
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
朝倉 勝三
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-523293
公開番号（公開出願番号）：特表2001-505491
出願日： 1997年11月20日
公開日（公表日）： 2001年04月24日
要約：
【要約】本発明は、医薬経皮吸収投与装置のリザーバを充填する小型弁に関する。本発明の小型弁は、a)基板(1)と、b)この基板(1)上に配設され、同基板(1)を通して開放せしめようとする通路に向かい合っている燃料充填物(5)と、c)この燃料充填物(5)に接触して配設されている電気抵抗(2)とを包含し、この電気抵抗(2)に所定の電気エネルギを供給することにより充填物(5)を燃焼させ、この充填物(5)の燃料ガスの圧力により前記基板を局部的に破裂させて、通路(8’)を開放せしめるようにする。本発明は、イオン浸透療法による医薬経皮吸収投与装置の医薬リザーバを充填するのに有益である。
請求項（抜粋）：
1 小型弁において、a)基板(1)と、b)この基板の頂部に配設され、同基板を通して開放せしめようとする通路に面している可燃物質の充填物(5)と、c)この可燃充填物に接触する電気抵抗(2)とを包含し、前記抵抗(2)に所定量の電気エネルギを供給することにより前記充填物(5)を燃焼させ、この充填物(5)の燃焼ガスの圧力により前記基板(1)を局部的に破裂させて、前記通路(8’)を開放せしめるようにしたことを特徴とする小型弁。2 請求項1記載の小型弁において、前記抵抗(2)が線条であると共に、前記充填物(5)が前記抵抗(2)の上を越えて延びており、前記所定量の電気エネルギが供給された前記抵抗(2)により発生した熱が前記抵抗(2)を囲繞している前記充填物(5)の一部分に最初に集中することを特徴とする小型弁。3 請求項2記載の小型弁において、前記所定量の電気エネルギが10ジュールよりも小さいことを特徴とする小型弁。4 請求項1〜3のいずれか一項に記載の小型弁において、前記充填物(5)と前記抵抗(2)とが前記基板(1)の薄肉区域(8)の同じ側に配設され、前記薄肉区域(8)の厚さは前記充填物(5)の燃焼によるガスの圧力が前記薄肉区域(8)を破裂せしめてこの薄肉区域を前記ガス及び他の流体の通路へ開放せしめるような厚さであることを特徴とする小型弁。5 請求項4記載の小型弁において、前記基板(1)が2つの実質的に平行な面(1’,1”)を有し、その一方の面(1’)がこの一方の面にくぼまされて前記薄肉区域(8)により他方の面(1”)で閉じられている中央クレータ(6)を有することを特徴とする小型弁。6 請求項5記載の小型弁において、金属接点(3,4)が前記他方の面(1”)に形成されて、電気エネルギの外部源からエネルギを前記抵抗(2)に供給することを特徴とする小型弁。7 請求項1〜6のいずれか一項に記載の小型弁において、前記基板(1)が半導体材料のチップの形であり、前記クレータ(6)及び前記抵抗(2)が前記チップにマイクロエッチングにより形成されていることを特徴とする小型弁。8 請求項1〜7のいずれか一項に記載の小型弁において、前記可燃充填物がニトロセルロース又はプロパゴール類の材料からなることを特徴とする小型弁。9 請求項7記載の小型弁において、前記可燃充填物の重量が約10<SP>-3</SP>gであることを特徴とする小型弁。10 請求項4記載の小型弁において、前記電気抵抗(2)を担持する前記基板(1)の前記薄肉区域(8)が、少なくとも、シリカの第1の層と、この第1の層の頂部上の窒化ケイ素の第2の層とを包含することを特徴とする小型弁。11 請求項10記載の小型弁において、前記第2の層がケイ素を富有する窒化ケイ素SiNx(x<1.33)であることを特徴とする小型弁。12 請求項11記載の小型弁において、x”≒1.2であることを特徴とする小型弁。13 請求項10記載の小型弁において、それぞれSiO<SB>2</SB>及びSi<SB>3</SB>N<SB>4</SB>の前記第1及び第2の層がそれぞれほぼ1μm及び0.22μmの厚さを有することを特徴とする小型弁。14 請求項12記載の小型弁において、それぞれSiO<SB>2</SB>及びSiN<SB>12</SB>の前記第1及び第2の層がそれぞれほぼ0.5μm及び0.22μmの厚さを有することを特徴とする小型弁。15 請求項12記載の小型弁において、それぞれSiO<SB>2</SB>及びSiN<SB>1.2</SB>の前記第1及び第2の層がほぼ1.4μm及び0.62μmの厚さを有することを特徴とする小型弁。16 リザーバ(10)をこのリザーバに隣接する小袋(14)に収容されている流体で充填する装置において、請求項1〜5のいずれか一項に記載の少なくともひとつの小型弁であって、前記小袋(14)と前記リザーバ(10)との間の流体連通部を遮断するように設けられている小型弁(17<SB>i</SB>)と、この小型弁の電気抵抗(2)への通電を選択的に命令し、前記小型弁により担持されている充填物(5)の燃焼により開放された、前記小型弁基板の通路を通して、前記小袋に収容されている流体への前記連通部の開放を生じさせる手段とを包含することを特徴とする装置。17 請求項16記載の装置において、前記小袋(14)と前記リザーバ(10)との間の流体連通部と同じ数設けられた複数の小型弁(17<SB>i</SB>)を包含し、これら小型弁の各々の開放が前記制御装置により開始されることを特徴とする装置。18 請求項16又は17記載の装置において、更に前記小袋(14)内の少なくともひとつのフレキシブルなエンベロープ(18)を包含し、このエンベロープ(18)が請求項1〜7のいずれか一項に記載の小型弁(16)を囲繞し、前記制御装置が前記小型弁(16)により担持されている前記可燃充填物の燃焼を選択的に開始させて、その燃焼ガスで前記エンベロープ(18)を膨張せしめ、前記小袋(14)と前記リザーバ(10)との間の流体連通部に設けられている前記小型弁(17<SB>i</SB>)を通して前記小袋(14)を空にすることを特徴とする装置。19 有効成分の溶液が、最初に小袋(14)に収容され、それから処置開始前に患者の皮膚に接触して置かれるようにされているリザーバ(10)に移される型式の医薬経皮吸収投与装置において、前記リザーバ(10)及び前記小袋(14)が請求項16〜18のいずれか一項に記載の装置の一部分であることを特徴とする装置。20 請求項1〜15のいずれか一項に記載の弁を製作する方法において、a)半導体材料の基板(1)の実質的に平らな面を、前記材料をエッチングするための溶液に対して耐性があるエッチストップ層で被覆する段階と、b)前記エッチストップ層が電気絶縁体でないときには、前記エッチストップ層を少なくとも電気絶縁層で被覆する段階と、c)電気抵抗を前記電気絶縁層上に形成する段階と、d)前記基板(1)を、前記抵抗(2)を担持している面と対向する、前記基板の面(1”)から前記エッチストップ層までエッチングする段階と、e)可燃充填物(5)を前記電気抵抗(2)の頂部に配設する段階と、を包含することを特徴とする方法。21 請求項20記載の方法において、シリコンが支持体として用いられ、N-ドープ処理ポリケイ素が導電層として用いられ、及び酸化ケイ素が電気絶縁層として用いられることを特徴とする方法。22 請求項20記載の方法において、前記エッチストップ層が電気絶縁シリカ層であって、このシリカ層が窒化ケイ素層(23<SB>1</SB>)で被覆され、前記電気抵抗(24)がこの窒化ケイ素層(23<SB>1</SB>)上に形成されることを特徴とする方法。23 請求項21記載の方法において、化学量論的窒化ケイ素Si<SB>3</SB>N<SB>4</SB>の層(23<SB>1</SB>)がほぼ750°Cでジクロロシラン及びアンモニアから低圧蒸着により形成されることを特徴とする方法。24 請求項22記載の方法において、ケイ素を富有する窒化ケイ素をSiNxの層(23<SB>1</SB>)がほぼ750°Cで水酸化ケイ素及びアンモニアから低圧蒸着により形成されることを特徴とする方法。
IPC (4件)：
B81B 3/00
, A61M 37/00
, B81C 1/00
, F17C 7/04
B81B 3/00
, A61M 37/00
, B81C 1/00
, F17C 7/04
