特許
J-GLOBAL ID：200903025819775832
高周波多層集積回路
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
松田 正道
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-101178
公開番号（公開出願番号）：特開平5-299906
出願日： 1992年04月21日
公開日（公表日）： 1993年11月12日
要約：
【要約】【目的】 より一層の高密度化を可能とし、小型化が実現でき、また、電磁界結合による高周波特性の劣化を回避できる高周波多層集積回路を提供すること。【構成】上下に接地電極3、4を有する第1誘電体2に埋め込まれた第1ストリップライン回路部1と、接地電極3の上に配置された誘電体5上に形成された電気回路部8と、両回路部を接地電極3を貫通して電気的に接続しているビアホール6と、接地電極4の下に形成された第2誘電体11に埋め込まれた第2ストリップライン回路部10とを有し、第1誘電体2の誘電率を第2誘電体11の誘電率より十分小さくした高周波多層集積回路である。
請求項（抜粋）：
上下に接地電極を有する誘電体に埋め込まれたストリップライン回路部と、前記接地電極の少なくとも一方の上に配置された誘電体上に形成された電気回路部と、前記両回路部を前記接地電極を貫通して電気的に接続しているビアホールとを有する高周波多層集積回路であって、前記ストリップライン回路部が2層以上形成され、そのうちの1層の誘電体の誘電率が、他の層の誘電体の誘電率と異なることを特徴とする高周波多層集積回路。
IPC (3件)：
H01P 5/02
, H01P 3/08
, H01P 5/08
