特許

J-GLOBAL ID：200903025820454160

光半導体装置

発明者： 菅 博文 ,  内藤 寿夫 ,  伊藤 之弘 ,  松井 謙 ,  宮島 博文 ,  牧野 貴光
出願人/特許権者： 浜松ホトニクス株式会社
代理人 (1件)： 長谷川 芳樹 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-301024
公開番号（公開出願番号）：特開平6-152058
出願日： 1992年11月11日
公開日（公表日）： 1994年05月31日
要約：

【要約】【目的】 本発明は、レーザ光の光強度が大きく、製造が容易な光半導体装置を提供することを目的とする。【構成】 突起部の上面の活性層(13a)に電流が注入されると光が発生し、この光の一部は突起部の上面の活性層(13a)を突き抜けて、活性層(13a)と第2のクラッド層(14)でレーザ共振を起こす。また、突起部の上面の活性層(13a)で発生した光の一部は側面の活性層(13b)に流れ込み、活性層(13c)と第1のクラッド層(12)でレーザ共振を起こす。そして、注入電流をある程度大きくすると、ついにはレーザ発振に至り、2本のレーザ光が端面から外部に出射される。

請求項（抜粋）：

長手方向の対向する2つの側面が順メサ型のエッチング形状である略直方体の突起部を上面に有する半導体基板と、前記半導体基板上に前記突起部の高さより厚い膜厚で均等に形成された第1のクラッド層と、前記第1クラッド層の上に均等な厚さで形成された活性層と、前記活性層の上に前記突起部の高さより厚い膜厚で形成された第2のクラッド層とを備え、前記2つの側面に挟まれた前記突起部上の前記活性層により導波路が構成され、当該導波路の長手方向両側の前記第2のクラッド層の端面により光共振器が構成されていることを特徴とする光半導体装置。

引用特許：

審査官引用 (4件)

• 特開昭63-055994
  
• 特開平1-170082
  
• 特開昭59-198787
  
• 特開昭63-062289