特許

J-GLOBAL ID：200903025820639179

反射防止組成物及びレジストパターン形成方法

発明者： 西 峰雄 ,  寺本 正史
出願人/特許権者： 三菱化学株式会社
代理人 (1件)： 長谷川 曉司
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-030539
公開番号（公開出願番号）：特開平9-222726
出願日： 1996年02月19日
公開日（公表日）： 1997年08月26日
要約：

【要約】【課題】 諸特性に優れた、特にドライエッチング耐性が低い反射防止膜を与える反射防止組成物を提供する。又、この反射防止膜を用いたレジストパターン形成方法を提供する。【解決手段】 塗膜中の化合物間の溶媒に対する溶解度差が、塗布後に加熱及び/又は光照射することにより拡大する化合物を含有させた反射防止組成物。

請求項（抜粋）：

基板とフォトレジスト膜との間に介在させる反射防止膜を形成するための反射防止組成物であって、塗膜形成材料を含む2種以上の化合物を含有し、塗膜中の化合物間の溶媒に対する溶解度差が、塗布後に加熱及び/又は光照射することにより拡大する化合物を少なくとも2種以上含有することを特徴とする反射防止組成物。

IPC (4件)：

G03F 7/004 506 ,  G03F 7/11 503 ,  G03F 7/38 501 ,  H01L 21/027

FI (5件)：

G03F 7/004 506 ,  G03F 7/11 503 ,  G03F 7/38 501 ,  H01L 21/30 565 ,  H01L 21/30 574

引用特許：

審査官引用 (4件)

• 特開平1-204045
  
• フォトリソグラフィによる回路素子の製造方法、熱安定性ポリイミドフィルム、混合ポリイミド及び半導体デバイス
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平6-050106   出願人：インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレイション
• 特開昭62-159143
  
• 特開昭60-122933