特許

J-GLOBAL ID：200903025823129856

ゲインガイド型半導体レーザ素子及び光導波路

発明者： 平田 照二
出願人/特許権者： ソニー株式会社
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-304567
公開番号（公開出願番号）：特開2001-127381
出願日： 1999年10月26日
公開日（公表日）： 2001年05月11日
要約：

【要約】【課題】 光ピックアップ等の光源として最適であって、高出力に適したゲインガイド型半導体レーザ素子を提供する。【解決手段】 本ゲインガイド型半導体レーザ素子40は、n側電極の構成を除いて、従来の半導体レーザ素子と同じ構成を備えている。本素子では、n側電極42が電流注入領域直下のn側電流42Bと、その両側で電流狭窄領域の下に設けられたn側電極42A、Cとの3電極に分割されている。3個のn側電極42A〜Cを導通させて1個のn側電極42とし、p側電極28、n側電極42との間に順方向の電流を流すと、本来のFFP特性により、従来の半導体レーザ素子と同じレーザ動作状態となる。電流注入領域直下のn側電極42Bをオフ状態にし、その両側のn側電極42A、Cとp側電極28との間に順方向の電流を流すと、電流分布が変化して、より横方向に拡散する。これにより、導波状態があたかもストライプ幅Wが拡がったのと等価な状態になりθ〃が大きくなる。

請求項（抜粋）：

一の導電型のストライプ状リッジ部を上部に有して、一の導電型とは反対の導電型の基板に設けられた共振器構造と、基板裏面に設けられた第1の電極と、ストライプ状リッジ部の最上層上に設けられ、第1の電極と対を成す第2の電極と、ストライプ状リッジを挟む電流狭窄領域とを備え、共振器構造の端面からレーザ光を出射させるようにしたゲインガイド型半導体レーザ素子において、第1の電極が、複数個の独立した電極に分割されて基板裏面に配置され、かつ分割された第1の電極の各々と第2の電極との間で相互に独立して順電流を流す手段を備えていることを特徴とするゲインガイド型半導体レーザ素子。

IPC (2件)：

H01S 5/227 ,  H01S 5/042 610

FI (2件)：

H01S 5/227 ,  H01S 5/042 610

Fターム (10件)：

5F073AA05 ,  5F073AA61 ,  5F073BA02 ,  5F073BA04 ,  5F073BA07 ,  5F073BA09 ,  5F073CA05 ,  5F073EA12 ,  5F073EA19 ,  5F073EA21