特許

J-GLOBAL ID：200903025824409399

酸化膜形成方法および電子デバイス材料

発明者： 北川 淳一 ,  井出 真司
出願人/特許権者： 東京エレクトロン株式会社
代理人 (5件)： 青木 篤 ,  石田 敬 ,  古賀 哲次 ,  吉井 一男 ,  西山 雅也
公報種別：再公表公報
出願番号（国際出願番号）：JP2003009111
公開番号（公開出願番号）：WO2004-008519
出願日： 2003年07月17日
公開日（公表日）： 2004年01月22日
要約：

酸素および水素を少なくとも含む処理ガスの存在下で、酸素および水素に基づくプラズマを電子デバイス用基材の表面に照射して、該電子デバイス用基材の表面に酸化膜を形成する。酸化膜の膜厚コントロールが容易で、且つ、良質な酸化膜を与える酸化膜形成方法および酸化膜形成装置、およびこのような良質な酸化膜を有する電子デバイス材料が提供される。

請求項（抜粋）：

酸素および水素を少なくとも含む処理ガスの存在下で、酸素および水素に基づくプラズマを電子デバイス用基材の表面に照射して、該電子デバイス用基材の表面に酸化膜を形成することを特徴とする酸化膜形成方法。

IPC (4件)：

H01L21/316 ,  H01L21/336 ,  H01L29/78 ,  H01L29/786

FI (3件)：

H01L21/316 A ,  H01L29/78 617V ,  H01L29/78 301G