半導体装置の製造方法

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：佐藤隆久
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-358169
公開番号（公開出願番号）：特開平10-200067
出願日： 1996年12月29日
公開日（公表日）： 1998年07月31日
要約：

【要約】【課題】周辺回路部における層間絶縁膜を薄くし、コンタクト径を小さくできるCOB型DRAM等の半導体装置の製造方法を提供する。【解決手段】層間絶縁膜を貫通するホールを開口した後、ホールを導電性材料で埋めてプラグを形成し、プラグを含んで該層間絶縁膜に配線用溝を形成し、配線用溝を導電性材料で埋め込んで埋込配線層を形成して半導体装置を製造する。

請求項（抜粋）：

層間絶縁膜を貫通するホールを開口した後、該ホールを導電性材料で埋めてプラグを形成する工程と、該プラグを含んで該層間絶縁膜に配線用溝を形成する工程と、該配線用溝を導電性材料で埋め込んで埋込配線層を形成する工程とを有することを特徴とする半導体装置の製造方法。

IPC (3件)：

H01L 27/108 , H01L 21/8242 , H01L 21/768

FI (3件)：

H01L 27/10 681 B , H01L 21/90 C , H01L 27/10 681 F

引用特許：

審査官引用 (5件)

特開平3-283658
特開平4-162452
半導体装置の配線形成方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平5-134101 出願人：ソニー株式会社

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