特許

J-GLOBAL ID：200903025841303545

フリップチップ形半導体発光素子

発明者： 小林 信夫
出願人/特許権者： サンケン電気株式会社
代理人 (1件)： 清水 敬一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-197879
公開番号（公開出願番号）：特開2003-017757
出願日： 2001年06月29日
公開日（公表日）： 2003年01月17日
要約：

【要約】【課題】 フリップチップ形半導体発光素子の光取出し効率を向上すると共に、発光面全体に均一な光分布を形成する。【解決手段】 光透過性の基板(1)と、基板(1)上に積層された第1の導電型の第1の半導体層(2)と、第1の半導体層(2)上に積層され且つ第1の導電型とは異なる第2の導電型の第2の半導体層(3)と、第1の半導体層(2)に電気的に接続された第1の電極(4)と、第2の半導体層(3)に電気的に接続された第2の電極(5)とをフリップチップ形半導体発光素子に設ける。第1の電極(4)に設けられる第1の接続層(6)は、第1の半導体層(2)に接続され且つ第2の電極(5)を包囲するので、第2の電極(5)の略全ての周辺部を通り電流が流れる。

請求項（抜粋）：

光透過性の基板と、該基板上に積層された第1の導電型の第1の半導体層と、該第1の半導体層上に積層され且つ第1の導電型とは異なる第2の導電型の第2の半導体層と、前記第1の半導体層に電気的に接続された第1の電極と、前記第2の半導体層に電気的に接続された第2の電極とを備え、前記第1の電極は、前記第2の電極を包囲して配置され且つ前記第1の半導体層に電気的に接続された第1の接続層を備えたことを特徴とするフリップチップ形半導体発光素子。

FI (2件)：

H01L 33/00 N ,  H01L 33/00 C

Fターム (5件)：

5F041AA05 ,  5F041CA04 ,  5F041CA13 ,  5F041CA40 ,  5F041CA74