特許

J-GLOBAL ID：200903025841793518

太陽電池

発明者： 松下 孟史 ,  ダラム・パル・ゴサイン ,  ジョナサン・ウエストウォーター ,  碓井 節夫 ,  羽根 邦夫
出願人/特許権者： ソニー株式会社
代理人 (1件)： 山本 孝久
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-342641
公開番号（公開出願番号）：特開平6-291341
出願日： 1993年12月14日
公開日（公表日）： 1994年10月18日
要約：

【要約】【目的】変換効率が高く、しかも製造コストが低くエネルギー回収年数が短い太陽電池を提供する。【構成】太陽電池は、(イ)第1の電極19Aを有する第1導電形の第1の半導体層11と、(ロ)第1の半導体層11の上方に形成され、第2の電極19Bを有する第1導電形とは逆の第2導電形の第2の半導体層22と、(ハ)第1の半導体層11と第2の半導体層12との間に形成され、第1の半導体層のバンドギャップ及び第2の半導体層のバンドギャップより狭いバンドギャップを有する第3の半導体層13と、(ニ)第1の半導体層11と第3の半導体層13との間に形成され、第1の半導体層と第3の半導体層の格子不整合を緩衝する第1の緩衝層15と、(ホ)第2の半導体層12と第3の半導体層13との間に形成され、第2の半導体層と第3の半導体層の格子不整合を緩衝する第2の緩衝層16、から成る。

請求項（抜粋）：

(イ)第1の電極を有する第1導電形の第1の半導体層と、(ロ)第1の半導体層の上方に形成され、第2の電極を有する第1導電形とは逆の第2導電形の第2の半導体層と、(ハ)第1の半導体層と第2の半導体層との間に形成され、第1の半導体層のバンドギャップ及び第2の半導体層のバンドギャップより狭いバンドギャップを有する第3の半導体層と、(ニ)第1の半導体層と第3の半導体層との間に形成され、第1の半導体層と第3の半導体層の格子不整合を緩衝する第1の緩衝層と、(ホ)第2の半導体層と第3の半導体層との間に形成され、第2の半導体層と第3の半導体層の格子不整合を緩衝する第2の緩衝層、から成ることを特徴とする太陽電池。

FI (2件)：

H01L 31/04 A ,  H01L 31/04 Y