特許
J-GLOBAL ID：200903025850328984
半導体装置
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
鵜沼 辰之
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-291299
公開番号（公開出願番号）：特開平9-134983
出願日： 1995年11月09日
公開日（公表日）： 1997年05月20日
要約：
【要約】【課題】 半導体チップを搭載した薄板の絶縁板とそれを冷却するヒートシンクを備えた半導体装置における伝熱性能の向上を図る。【解決手段】 複数の半導体チップ1を上面に搭載し下面に金属膜3bが形成された絶縁板2と、絶縁板2の下面側に配置されたヒートシンク14と、金属膜3bとヒートシンク14間に装填された熱伝導グリースとを備え、絶縁板2がヒートシンク14に締め付けらた半導体装置において、熱伝導グリース15を、絶縁板2とヒートシンク14間で各半導体チップ1に相対する領域ないし近傍に、島状に装填し、締付け状態で島状領域を半導体チップの平面積の4〜8倍にすることで上記部材間の熱抵抗を最低レベルまで下げることができる。
請求項（抜粋）：
複数の半導体チップを上面に搭載し下面に金属膜が形成された絶縁板と、該絶縁板の下面側に配置されたヒートシンクと、前記金属膜と前記ヒートシンク間に装填された熱伝導グリースとを備え、前記絶縁板が前記ヒートシンクに締め付けられて構成される半導体装置において、前記熱伝導グリースは、前記半導体チップそれぞれに相対する領域およびその近傍に、島状に装填されていることを特徴とする半導体装置。
FI (2件)：
H01L 23/36 B
, H01L 23/36 D
