特許

J-GLOBAL ID：200903025854298613

強磁性デバイスの製造方法

発明者： ケネス ピー クローン ,  ジョン エフ トリーツ
出願人/特許権者： オートスプライス システムズ インコーポレイテッド
代理人 (1件)： 竹沢 荘一 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-193357
公開番号（公開出願番号）：特開平9-186041
出願日： 1996年07月23日
公開日（公表日）： 1997年07月15日
要約：

【要約】【課題】 高性能の強磁性部品を低コストで大量生産可能にする。【解決手段】 導電層が設けられた絶縁基板内に、強磁性コアのPWB技術によって製造された誘導性電気部品を埋め込む。コアの両側で基板内に、導電性スルーホール(ビア)を設ける。導電層のパターンを形成し、導電層スルーホールと共に1つ以上の組の導電性巻線部を形成し、コアを囲む巻線を形成する。基板上の接触パッドを形成し、このパッドを、巻線に接続する導電性トレースを形成するように、導電層のパターンを形成する。

請求項（抜粋）：

(a)非磁性絶縁層を有するキャリア内に強磁性コアを埋め込む工程と、(b)絶縁層の両側の表面にそれぞれ第1および第2導電層を設ける工程と、(c)強磁性コアの両側に前記キャリアを貫通し、第1および第2導電層に接続する導電性貫通孔を形成する工程と、(d)その後、第1および第2導電層のパターンを形成し、導電性貫通孔のうちの一部と共に強磁性コアを囲む相互接続された、少なくとも1組の導電性巻線えを形成し、少なくとも1つの、前記電子部品の第1コイルを形成する工程とを有する、強磁性デバイスの製造方法。

IPC (3件)：

H01F 41/08 ,  H01F 41/04 ,  H05K 3/42 640

FI (3件)：

H01F 41/08 Z ,  H01F 41/04 C ,  H05K 3/42 640 B