特許
J-GLOBAL ID：200903025856379939
基板ホルダ及びプラズマ処理装置
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
谷川 昌夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-070211
公開番号（公開出願番号）：特開平6-283439
出願日： 1993年03月29日
公開日（公表日）： 1994年10月07日
要約：
【要約】【目的】 プラズマ中の気相反応で発生する微粒子が処理対象基板に付着することを抑制することができるプラズマ処理装置に用いる基板ホルダ及びプラズマ処理装置を提供する。【構成】 排気ポンプ52を付設した真空容器1内に導入される処理用ガスを該排気ポンプの運転による所定真空度のもとにプラズマ化させ、該プラズマのもとで処理対象基板S1に目的とする成膜を行うプラズマCVD装置であって、処理対象基板支持用の基板ホルダとして、基板支持域の周囲部分に、プラズマ中の気相で発生する微粒子を集め、捕獲し、排除方向へ導くための電界降下部を提供する溝83、84、85及び凹部86を形成した基板ホルダ8を備え、該ホルダによる微粒子排除方向が排気ポンプ52による排気方向aに揃うように基板ホルダ8及び排気ポンプ52を配置してあるプラズマCVD装置。
請求項（抜粋）：
プラズマ処理装置に用いる処理対象基板支持用の基板ホルダであって、基板支持域の周囲部分に、プラズマ中の気相で発生する微粒子を集め、捕獲し、排除方向へ導くための電界降下部を提供する凹所を形成したことを特徴とする基板ホルダ。
IPC (4件)：
H01L 21/205
, C23C 16/50
, C23F 4/00
, H01L 21/302
