特許
J-GLOBAL ID：200903025866860899
プラズマ処理装置
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
八木田 茂 (外4名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-300882
公開番号（公開出願番号）：特開平6-151326
出願日： 1992年11月11日
公開日（公表日）： 1994年05月31日
要約：
【要約】【目的】本発明は、従来のECR放電型プラズマ処理装置やマグネトロン放電型プラズマ処理装置に伴う問題点を解決して、大面積で一様なプラズマ照射が可能にすると共にターゲットの利用効率を改善して大面積スパッタリングを可能にすることを目的とする。【構成】断面が円形状の真空容器1の円周方向外方部1aに、カスプ磁場発生手段2、3及びカスプ磁場の磁力線に直交する方向に高周波電場を印加する高周波電極4が設けられ、そして真空容器1の中央部1bへのカスプ磁場の進入を阻止する磁場終端用磁気吸収体6が設けられる。また、真空容器1の中央部1b内にはDCまたはRFバイアススパッタ用のカソード電極7とアノード電極8とが対向して設けられる。
請求項（抜粋）：
断面が円形状の真空容器の円周方向外方部に、カスプ磁場を発生するカスプ磁場発生手段と、カスプ磁場の磁力線に直交する方向に高周波電場を印加する高周波電極とを設け、また真空容器の中央部と円周方向外方部との間に真空容器の中央部へのカスプ磁場の進入を阻止する磁場終端用磁気吸収体を設け、真空容器の円周方向外方部内で生成されたプラズマを真空容器の中央部に一様に拡散させるように構成したことを特徴とするプラズマ処理装置。
IPC (4件)：
H01L 21/205
, C23C 14/35
, H01L 21/203
, H01L 21/302
