荷電粒子線露光によるパターン形成方法および荷電粒子線露光装置

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：井桁貞一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-208303
公開番号（公開出願番号）：特開平5-047649
出願日： 1991年08月20日
公開日（公表日）： 1993年02月26日
要約：

【要約】【目的】荷電粒子線を用いて露光を行うパターン形成方法に関し、アライメント精度を一層向上することを目的とする。【構成】基板に形成された段差からなるアライメントマークの位置を光学的に検出して、該基板を位置合わせし、荷電粒子線を前記基板上の荷電粒子線感光樹脂に照射し、少なくとも1つの予備マークを描画し、次いで、該予備マークの潜像の位置を光学的に検出、該基板の位置ズレを求め、しかる後、該位置ズレを補正するように再度位置合わせした状態で、荷電粒子線により主パターンを描画するように構成する。

請求項（抜粋）：

段差からなるアライメントマークを有する基板上に荷電粒子線感光樹脂層を形成する工程と、基板上のアライメントマークの位置を、該基板に照射した光の反射光の変化から検出して、該基板を第1の位置に位置合わせする工程と、次いで、荷電粒子線を前記基板上の荷電粒子線感光樹脂層に照射し、少なくとも1つの予備マークを描画する工程と、前記工程で荷電粒子線感光樹脂層に形成された該予備マークの潜像の位置を、該基板に照射した光の反射光の変化から検出して、該潜像の位置の該予備マークの形成されるべき位置からの位置ズレを測定する工程と、次いで、該位置ズレを補正するように該基板を位置合わせし、しかる後、前記荷電粒子線感光樹脂層に荷電粒子線を照射して主パターンを描画する工程とを有する荷電粒子線露光によるパターン形成方法。

IPC (5件)：

H01L 21/027 , G03B 27/32 , G03F 7/20 504 , G03F 7/20 521 , G03F 9/00

FI (2件)：

H01L 21/30 341 K , H01L 21/30 341 C

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