特許

J-GLOBAL ID：200903025871914069

III-V族化合物混晶の成長方法

発明者： 下山 謙司 ,  後藤 秀樹
出願人/特許権者： 三菱化学株式会社
代理人 (1件)： 長谷川 曉司
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-015174
公開番号（公開出願番号）：特開平8-208395
出願日： 1995年02月01日
公開日（公表日）： 1996年08月13日
要約：

【要約】【目的】 低いV/III 比で窒素をふくむIII-V 族化合物、特にInGaN、InGaAlNを気相成長させる。【構成】 III 族元素源として有機金属を用いる気相成長法によりV族元素として窒素を含有するIII-V 族化合物混晶を成長させる方法において、下記一般式Iで表されるIII 族元素アミド化合物を用いるIII-V 族化合物混晶の成長方法。【化1】M(NR2 )3 (I)(式中、Mは、In、Al及びGaからなる群から選ばれる少なくとも1種のIII 族元素を表し、Rは、炭素数1〜10個のアルキル基、アリール基及びアラルキル基並びにトリメチルシリル基及びトリエチルシリル基からなる群から選ばれる少なくとも1種の官能基を表す。)

請求項（抜粋）：

III 族元素源として有機金属を用いる気相成長法によりV族元素として窒素を含有するIII-V 族化合物混晶を成長させる方法において、下記一般式Iで表されるIII 族元素アミド化合物を用いることを特徴とするIII-V 族化合物混晶の成長方法。【化1】M(NR2 )3 (I)(式中、Mは、In、Al及びGaからなる群から選ばれる少なくとも1種のIII 族元素を表し、Rは、炭素数1〜10個のアルキル基、アリール基及び選ばれる少なくとも1種の官能基を表す。)

IPC (6件)：

C30B 29/38 ,  C30B 25/02 ,  H01L 21/205 ,  H01L 33/00 ,  H01S 3/085 ,  H01S 3/18

引用特許：

審査官引用 (1件)

• 薄膜の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平4-055962   出願人：株式会社東芝