特許
J-GLOBAL ID:200903025881766157

熱-電気直接変換装置

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (4件): 波多野 久 ,  関口 俊三 ,  猿渡 章雄 ,  古川 潤一
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2004-210516
公開番号(公開出願番号):特開2006-032723
出願日: 2004年07月16日
公開日(公表日): 2006年02月02日
要約:
【課題】構成部材の酸化等による劣化の進行を抑止でき、長期にわたって変換効率を良好に維持できる熱-電気直接変換装置を提供する。【解決手段】熱エネルギを電気エネルギに、あるいは電気エネルギを熱エネルギに直接変換する熱-電気直接変換半導体2,3と、その熱-電気直接変換半導体2,3を外気から遮断する気密筐体30とを備えて構成され、上記気密筐体30は上記熱-電気直接変換半導体2,3の高温側端部に接合される高温側基板7を覆う金属蓋20と、上記熱-電気直接変換半導体2,3の周囲を取り囲む金属枠21と、電流を気密筐体30の外部に取出す手段を具備し、熱-電気直接変換半導体2,3の低温側端部に接合される低温側基板22とから構成されており、上記気密筐体30の内部は真空もしくは不活性ガス雰囲気に調整されていることを特徴とする熱-電気直接変換装置1aである。【選択図】 図1
請求項(抜粋):
熱エネルギを電気エネルギに、あるいは電気エネルギを熱エネルギに直接変換する熱-電気直接変換半導体と、その熱-電気直接変換半導体を外気から遮断する気密筐体とを備えて構成され、上記気密筐体は上記熱-電気直接変換半導体の高温側端部に接合される高温側基板を覆う金属蓋と、上記熱-電気直接変換半導体の周囲を取り囲む金属枠と、電流を気密筐体外部に取出す手段を具備し、熱-電気直接変換半導体の低温側端部に接合される低温側基板とから構成されており、上記気密筐体内部は真空もしくは不活性ガス雰囲気に調整されていることを特徴とする熱-電気直接変換装置。
IPC (3件):
H01L 35/30 ,  H01L 35/34 ,  H02N 11/00
FI (3件):
H01L35/30 ,  H01L35/34 ,  H02N11/00 A
引用特許:
出願人引用 (1件) 審査官引用 (10件)
全件表示

前のページに戻る