特許

J-GLOBAL ID：200903025888867536

化合物半導体装置及びその製造方法

発明者： 紀川 健 ,  高谷 信一郎
出願人/特許権者： 株式会社日立製作所
代理人 (1件)： 小川 勝男
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-148547
公開番号（公開出願番号）：特開平9-008058
出願日： 1995年06月15日
公開日（公表日）： 1997年01月10日
要約：

【要約】【目的】表面漏洩電流による特性劣化のない高速な、或いは高集積化された、或いは動作寿命の長い化合物半導体装置及びその製造方法を提供する。【構成】化合物半導体表面1にのみ不純物元素3を添加する。【効果】化合物半導体表面1でのフェルミレベル5の位置を制御でき、電極間漏洩電流の低減が可能となり、また動作時間に伴うゲート漏洩電流の増加を抑制できる。

請求項（抜粋）：

化合物半導体禁制帯中にディープレベルを形成する不純物元素を前記半導体表面に含ませることにより前記表面におけるフェルミレベルを前記禁制帯中央付近に位置させることを特徴とする化合物半導体装置。

IPC (4件)：

H01L 21/338 ,  H01L 29/812 ,  H01L 29/872 ,  H01L 29/778

FI (3件)：

H01L 29/80 B ,  H01L 29/48 H ,  H01L 29/80 H