特許
J-GLOBAL ID：200903025891486888
半導体装置の製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
鈴木 喜三郎 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-198604
公開番号（公開出願番号）：特開平7-050344
出願日： 1983年10月18日
公開日（公表日）： 1995年02月21日
要約：
【要約】【目的】Pチャンネル、Nチャンネル領域の両方の微細化を可能にし、CMOSLSIの高集積化を可能にする低温秒単位アニール技術による半導体の製造方法を提供することを目的とする。【構成】本発明は、半導体基坂として結晶方位面(100)のシリコンを用いること及びPチャンネル領域にはBF2 、NチャンネルにはP注入によりアモルファス層を形成後、低温(800°C以上1100°C以下)秒単位アニールすることを特徴とする。即ち、(111)基板に比べてアモルファス層と基板との界面の下の領域の二次欠陥が少ない(100)基板を用いて、低温短時間(秒単位)アニールを行なうことを特徴とする。
請求項（抜粋）：
(100)結晶方位面のシリコン基板にBF2+ イオンを注入してPチャンネルトランジス夕のソース・ドレイン領域となる第1アモルファス層を形成する工程、前記シリコン基板にP+ イオンを注入してNチャンネルトランジス夕のソース・ドレイン領域となる第2アモルファス層を形成する工程、前記半導体基板を800°C以上1100°C以下の温度で秒単位アニールをして前記第1アモルファス層及び前記第2アモルファス層を活性化させることにより再結晶化する工程を有することを特徴とする半導体装置の製造方法。
IPC (3件)：
H01L 21/8238
, H01L 27/092
, H01L 21/265
H01L 27/08 321 E
, H01L 21/265 A
