特許

J-GLOBAL ID：200903025895898552

半導体装置及びその製造方法

発明者： 久富 清志 ,  石原 勝則 ,  見方 裕一 ,  布野 栄
出願人/特許権者： 東芝マイクロエレクトロニクス株式会社 ,  株式会社東芝
代理人 (1件)： 鈴江 武彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-310841
公開番号（公開出願番号）：特開平8-167599
出願日： 1994年12月14日
公開日（公表日）： 1996年06月25日
要約：

【要約】【目的】半導体装置における絶縁膜の破壊耐圧を向上させることを目的としている。【構成】シリコン基板11上にClを含むCVDシリコン酸化膜20を形成し、このCVDシリコン酸化膜20上にポリシリコン層15を形成している。上記CVDシリコン酸化膜20のCl濃度は、1×1018atoms/cm3 以上で且つ2×1020atoms/cm3 以下であることを特徴としている。シリコン基板11上にCVD法でシリコン酸化膜20を形成するので、シリコン基板11のBMDがシリコン酸化膜中に取り込まれることはなく、BMDに起因するシリコン酸化膜の絶縁破壊耐圧の低下を防止できる。

請求項（抜粋）：

不純物拡散層及びフィールド酸化膜が形成されたシリコン基板と、このシリコン基板上に形成されたClを含むCVDシリコン酸化膜と、このCVDシリコン酸化膜上に形成されたポリシリコン層とを具備し、上記CVDシリコン酸化膜のCl濃度は、1×1018atoms/cm3 以上で且つ2×1020atoms/cm3 以下であることを特徴とする半導体装置。

IPC (6件)：

H01L 21/31 ,  H01L 21/316 ,  H01L 21/318 ,  H01L 21/8247 ,  H01L 29/788 ,  H01L 29/792

引用特許：

出願人引用 (5件)

• 特開平3-107463
  
• 半導体装置およびその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平5-080117   出願人：株式会社東芝
• 特開昭60-116138
  
• 特開昭62-268234
  
• 特開平2-017639
  

審査官引用 (2件)

• 特開平3-107463
  
• 半導体装置およびその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平5-080117   出願人：株式会社東芝