特許

J-GLOBAL ID：200903025905782540

皮膜強度に優れたポリシラザンの合成方法、及び該ポリシラザンを塗布焼付けた耐熱絶縁電線

発明者： 平井 宏樹 ,  上岡 勇夫 ,  岩田 幸一
出願人/特許権者： 住友電気工業株式会社
代理人 (1件)： 西川 繁明
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-310889
公開番号（公開出願番号）：特開平6-136131
出願日： 1992年10月26日
公開日（公表日）： 1994年05月17日
要約：

【要約】【目的】 ポリシラザンの合成方法を最適化することにより、耐熱性と柔軟性を両立させたときの皮膜の機械的強度に優れたポリシラザンの合成方法を提供すること。また、耐熱性と柔軟性を備え、かつ、機械的強度が良好なポリシラザンの絶縁皮膜を有する耐熱絶縁電線を提供すること。【構成】 一般式R1R2SiX2〔式中、R1及びR2は、それぞれ独立に、水素原子、アルキル基、アルケニル基、シクロアルキル基、アルキルアミノ基、アリール基、またはアルキルシリル基から選ばれる。〕で表されるジハロシランを、-20°C以下の温度でアンモノリシスすることにより、繰り返し単位〔I〕(-SiR1R2-NH-)で表されるポリシラザンを合成することを特徴とする皮膜強度に優れたポリシラザンの合成方法。導体上に、この合成方法により得られたポリシラザンを塗布焼付けしてなる耐熱絶縁電線。

請求項（抜粋）：

一般式(A)R1R2SiX2 (A)〔式中、R1及びR2は、それぞれ独立に、水素原子、アルキル基、アルケニル基、シクロアルキル基、アルキルアミノ基、アリール基、またはアルキルシリル基から選ばれる。〕で表されるジハロシランを、-20°C以下の温度でアンモノリシスすることにより、繰り返し単位〔I〕(-SiR1R2-NH-) 〔I〕〔式中、R1及びR2は、前記と同じ。〕で表されるポリシラザンを合成することを特徴とする皮膜強度に優れたポリシラザンの合成方法。

IPC (7件)：

C08G 77/62 NUM ,  C01B 21/068 ,  C09D183/16 PMM ,  H01B 3/30 ,  H01B 7/02 ,  H01B 7/34 ,  H01B 13/16