電界放射型素子及びその製造方法

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：藤谷修
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-239446
公開番号（公開出願番号）：特開2001-068013
出願日： 1999年08月26日
公開日（公表日）： 2001年03月16日
要約：

【要約】【課題】電界放射型素子の電流密度を増大させる。【解決手段】ガラス基板1上に電界放射型素子を形成する。第1絶縁層3とゲート4が形成されたガラス基板1に異方性エッチングにより、凹部5を形成する。次いで、第2絶縁層7の形成後、CVDによって電子放出効率の良い電子放出層と電気抵抗の小さい電子供給層を交互に成膜する。そして、第3絶縁層3の形成後、RIEの異方性エッチングにより、エミッタ6の上端部を露にする。これにより、ガラス基板1に対して垂直の側壁を有し、ゲート4に対向する帯状のエミッタ6が形成される。エミッタ6は、ガラス基板1に垂直に形成されるので、電子放出領域は従来より密となる。よって、より電流密度を増大することができる。また、エミッタ6を形成する電子供給層は効率よく電子を供給し、電子放出層はそれを効率よく放出する。よって、更に電流密度が高められる。

請求項（抜粋）：

基板上に垂直方向に延出し電子を放出するエミッタと、該エミッタに近接して第1絶縁層上に形成されたゲートと、前記エミッタに対向して形成されたアノードとからなり、前記ゲートのゲート電圧によって前記エミッタからの放出電子を制御する電界放射型素子において、前記エミッタは前記基板に垂直な側壁を有して帯状に形成され、その上端部が基板と平行に直線状、又は曲線状に形成されることを特徴とする電界放射型素子。

IPC (3件)：

H01J 1/304 , H01J 9/02 , H01J 31/12

FI (3件)：

H01J 1/30 F , H01J 9/02 B , H01J 31/12 C

Fターム (10件)：

5C036EE01 , 5C036EE14 , 5C036EF01 , 5C036EF06 , 5C036EF09 , 5C036EG12 , 5C036EH01 , 5C036EH06 , 5C036EH08 , 5C036EH26

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