特許
J-GLOBAL ID：200903025916969960
半導体装置、電子機器および半導体装置の製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (6件)：
深見 久郎
, 森田 俊雄
, 仲村 義平
, 堀井 豊
, 野田 久登
, 酒井 將行
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-114224
公開番号（公開出願番号）：特開2005-302873
出願日： 2004年04月08日
公開日（公表日）： 2005年10月27日
要約：
【課題】 小型化が可能であり、高性能な半導体装置、電子機器および半導体装置の製造方法を提供する。【解決手段】 この発明に従った半導体装置1は、基板3と、当該基板3に電気的に接続される半導体素子4とを備える。基板3は、基材7と受動素子2と端子電極としての電極35a、35bとを含む。受動素子2は基材7の表面(上部表面または裏面)に形成され、薄膜からなる。電極35a、35bは、外部出力用の端子電極であって、基材7の表面に形成されている。【選択図】 図1
請求項（抜粋）：
基板と、
前記基板に電気的に接続される半導体素子とを備え、
前記基板は、
基材と、
前記基材の表面に形成された薄膜からなる受動素子と、
前記基材の前記表面に形成された外部出力用の端子電極とを含む、半導体装置。
IPC (2件)：
FI (2件)：
H01L25/00 B
, H01L23/12 B
