特許

J-GLOBAL ID：200903025919805518

半導体集積回路装置

発明者： 梅本 哲也
出願人/特許権者： 三菱電機株式会社
代理人 (1件)： 早瀬 憲一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-233847
公開番号（公開出願番号）：特開平10-079629
出願日： 1996年09月04日
公開日（公表日）： 1998年03月24日
要約：

【要約】【課題】 トランジスタを用いて構成された大出力な電力増幅器において、そのバイアス点の設定を細かく設定すること。【解決手段】 電力増幅器10を構成するトランジスタを、複数のトランジスタを並列接続することにより構成し、各FET T1 〜Tn のゲート電圧VG1,VG2,...,VGnを調整して電力増幅器10全体としてのドレイン電流Id の調整を行うようにする。

請求項（抜粋）：

電界効果トランジスタを用いて構成された電力増幅器を有する半導体集積回路装置において、上記電界効果トランジスタを、その相互コンダクタンスが小さな複数の単位電界効果トランジスタを用いて構成し、上記各単位電界効果トランジスタのバイアス電圧をそれぞれ個別に設定することにより、上記電力増幅器のバイアス点を設定することを特徴とする半導体集積回路装置。