特許

J-GLOBAL ID：200903025924018168

半導体装置洗浄剤および半導体装置の製造方法

発明者： 青山 哲男 ,  中野 里愛子 ,  福田 秀樹 ,  後藤 日出人
出願人/特許権者： 三菱瓦斯化学株式会社 ,  日本テキサス・インスツルメンツ株式会社
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-000520
公開番号（公開出願番号）：特開平7-201794
出願日： 1994年01月07日
公開日（公表日）： 1995年08月04日
要約：

【要約】【構成】半導体装置製造工程において、フォトレジストによるマスク形成を行った後、ドライエッチングにより配線構造を形成させ、その際に導電層及びフォトレジストの側壁部に生成する保護堆積膜を、第四級アンモニウム塩とフッ素化合物を含有する水溶液、或いは第四級アンモニウム塩とフッ素化合物に、アミド類、ラクトン類、ニトリル類、アルコール類、エステル類から選ばれた有機溶媒を含有する水溶液からなる半導体装置洗浄剤を用いて剥離する。【効果】保護堆積膜の剥離が極めて確実に行われることから、導電層表面の汚染が無くなり清浄化されるのでコロージョンが発生しない。

請求項（抜粋）：

一般式[(R1 )3 N-R]+ ・X- (Rは炭素数1〜4のアルキル基または炭素数1〜4のヒドロキシル置換基、R1 は炭素数1〜4のアルキル基、Xは無機酸または有機酸)で表される第四級アンモニウム塩とフッ素化合物を含有することを特徴とする半導体装置洗浄剤。

IPC (3件)：

H01L 21/304 341 ,  C11D 7/32 ,  H01L 21/308