特許
J-GLOBAL ID：200903025925535662
半導体装置
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
山口 巖
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-266390
公開番号（公開出願番号）：特開平6-117942
出願日： 1992年10月06日
公開日（公表日）： 1994年04月28日
要約：
【要約】【目的】主半導体素子の過熱保護のための温度検出用素子を他の素子の寄生効果による破壊が起こることなく、しかも正確に温度を検出できるように内蔵した半導体装置を提供する。【構成】温度検出用素子を主半導体素子の半導体素子上に絶縁膜を介して形成した半導体層を用いて作成する。半導体素体に集積するのではないため寄生効果は生じない。温度検出用素子としては、例えば多結晶シリコン層に不純物を注入して形成したp+ 層とn+ 層からなるダイオードを用い、そのアバランシエ電圧の温度変化を利用して主半導体素子を過熱から保護する。
請求項（抜粋）：
主半導体素子のほかにその素子の過熱保護のための温度検出用素子を備えたものにおいて、温度検出用素子が主半導体素子の半導体素体の表面上に絶縁膜を介して形成された半導体層を基体とすることを特徴とする半導体装置。
IPC (3件)：
G01K 7/00 391
, G01K 1/14
, H01L 29/784
