特許
J-GLOBAL ID：200903025926199410
半導体記憶装置
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
京本 直樹 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-180215
公開番号（公開出願番号）：特開平6-195258
出願日： 1992年07月08日
公開日（公表日）： 1994年07月15日
要約：
【要約】【目的】高速アクセス性と情報不揮発性とをともに備える単一装置構成の記憶装置を提供する。【構成】揮発性RAM部2は記憶すべき情報を格納する半導体メモリであり、中央制御部1を介して外部から高速にアクセスできる。不揮発性RAM部3は情報を電気的に書き換え可能で、かつ記憶保持のための電源供給が不要な半導体メモリである。中央制御部1の退避/復旧制御部5の制御により、メモリ相互アクセス制御部7を起動し、揮発性RAMアクセス制御部6及び不揮発性RAMアクセス制御部8を介して、揮発性RAM部2と不揮発性RAM部3との間で記憶情報の退避/復旧を行う。
請求項（抜粋）：
記憶すべき情報を格納するための外部装置からのランダムかつ高速なリード/ライトアクセスが可能な半導体メモリである揮発性RAM部と;電源供給なしに保存すべき情報を格納するための電気的に書き換え可能な半導体メモリである不揮発性RAM部と;前記揮発性RAM部へのリード/ライトアクセス制御を行う揮発性RAMアクセス制御手段と、前記不揮発性RAM部へのリード/ライトアクセス制御を行なう不揮発性RAMアクセス制御手段と、前記揮発性RAM部及び不揮発性RAM部相互間のコピー制御を行なうメモリ相互アクセス制御手段と、前記外部装置との接続制御を行なう外部インタフェース手段と、退避指示により前記メモリ相互アクセス制御手段を制御して前記揮発性RAM部に格納されている情報を前記不揮発性RAM部にコピーする退避制御手段と、復旧指示により前記メモリ相互アクセス制御手段を制御して前記不揮発性RAM部に格納されている情報を前記揮発性RAM部にコピーする復旧制御手段とを持つ中央制御部とを備えたことを特徴とする半導体記憶装置。
IPC (2件)：
G06F 12/06 520
, G06F 12/16 340
