特許
J-GLOBAL ID：200903025931412122
半導体装置とその製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
松田 宗久
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-214119
公開番号（公開出願番号）：特開平11-040613
出願日： 1997年07月23日
公開日（公表日）： 1999年02月12日
要約：
【要約】【課題】 半導体チップを実装基板に表面実装に類似するベア状態に近い状態でコンパクトに実装できる半導体装置を得る。【解決手段】 半導体チップ10上面を弾性ゴム層20で覆う。そして、半導体チップ上面の電極12に一端が導電性樹脂40により接続されたリード30を、弾性ゴム層20を貫通させて配置する。そして、弾性ゴム層20表面にリード30の他端を露出させる。そして、該リード30の他端とその周囲の弾性ゴム層20部分に、導電性樹脂からなるバンプ50を形成する。そして、そのバンプ50を実装基板60表面の端子62に接続して、半導体チップ10を実装基板60に表面実装に類似するベア状態に近い状態で実装できるようにする。それと共に、半導体チップ10と実装基板60との間に、両者の熱膨張率の差に基づく過大な熱応力が加わるのを、弾性ゴム層20により防ぐことができるようにする。
請求項（抜粋）：
半導体チップ上面が、弾性ゴム層で覆われ、前記半導体チップ上面の電極に一端が導電性樹脂により接続されたリードが、前記弾性ゴム層を貫通して配置されて、該弾性ゴム層表面に前記リードの他端が露出され、該リードの他端とその周囲の前記弾性ゴム層部分に導電性樹脂からなるバンプが形成されたことを特徴とする半導体装置。
IPC (2件)：
H01L 21/60 311
, H01L 23/28
H01L 21/60 311 S
, H01L 23/28 Z
