特許

J-GLOBAL ID：200903025931416497

炭素または炭素を主成分とする被膜

発明者： 伊藤 健二 ,  山崎 舜平 ,  青柳 修
出願人/特許権者： 株式会社半導体エネルギー研究所
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-114270
公開番号（公開出願番号）：特開平10-058589
出願日： 1988年09月19日
公開日（公表日）： 1998年03月03日
要約：

【要約】【課題】 シリコン酸化膜上に炭素または炭素を主成分とする被膜を密着性良く形成させること。【解決手段】 シリコン酸化膜の上にシリコン層または炭化シリコン層を介して炭素または炭素を主とする被膜を形成する。

請求項（抜粋）：

シリコン酸化膜上にシリコン層を介して形成されたことを特徴とする炭素または炭素を主成分とする被膜。

IPC (5件)：

B32B 9/00 ,  C01B 31/02 101 ,  C23C 16/26 ,  G11B 5/66 ,  G11B 5/72

FI (5件)：

B32B 9/00 A ,  C01B 31/02 101 Z ,  C23C 16/26 ,  G11B 5/66 ,  G11B 5/72

引用特許：

審査官引用 (1件)

• 特開平1-234566