特許

J-GLOBAL ID：200903025935407778

CVD反応装置

発明者： 山口 太一 ,  青木 伸哉 ,  香川 昭 ,  河野 宰 ,  佐治 明 ,  黒田 昇 ,  吉田 弘
出願人/特許権者： 株式会社フジクラ ,  中部電力株式会社
代理人 (1件)： 志賀 正武 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-222268
公開番号（公開出願番号）：特開平5-044042
出願日： 1991年08月07日
公開日（公表日）： 1993年02月23日
要約：

【要約】【構成】 横長型の反応チャンバ42の上部に、上方に向けてすぼまりかつその頂部に原料ガス供給手段43が接続された原料ガス拡散部47が形成され、反応チャンバ42の下方側には2つのガス排出口48,48が形成され、かつこれら2つのガス排出口48,48には、ガス排出管49を通して排気ポンプ44が接続されている。また、上記反応チャンバ42内の長尺基板50は、基板移送装置46により図中の矢印方向に移動・送入され、さらに上記チャンバ42内の下部には基板ヒータ45が設けられ、上記反応チャンバ42内に送入される長尺基板50を加熱できるようになっている。【効果】 長尺基板上に均一かつ安定な組成のCVD蒸着層を効率的に形成することができる。

請求項（抜粋）：

原料化合物ガス等の原料ガスを化学反応せしめて基体表面に生成物を堆積させるCVD反応を行う横長型の反応チャンバと、該反応チャンバ内に原料ガスを供給する原料ガス供給手段と、該反応チャンバ内のガスを排気するガス排気手段と、長尺の基体を該反応チャンバの長手方向に沿って一方側に移動させる基板移動手段と、該反応チャンバ内に配設された横長型の加熱手段とを備えたCVD反応装置において、上記反応チャンバの上部には、上方に向けてすぼまりかつその頂部に原料ガス供給手段が接続された原料ガス拡散部が形成され、該反応チャンバの下方側の長手方向両端部には、前記ガス排気手段に接続される排気口が設けられてなり、前記原料ガス供給手段から供給された原料ガスを、該原料ガス拡散部で均一に拡散させて該反応チャンバ内の長尺基板近傍に到達せしめ、反応残ガスを該反応チャンバの下方側の長手方向両端部に設けられた排気口を経て排気せしめることを特徴とするCVD反応装置。

IPC (2件)：

C23C 16/54 ,  C23C 16/46

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 特開平1-304619
  
• 特開昭63-083275
  
• 特開昭61-101491