特許

J-GLOBAL ID：200903025937199820

レジストパターン形成方法

発明者： 田中 聡 ,  井上 壮一 ,  藤澤 忠仁
出願人/特許権者： 株式会社東芝
代理人 (1件)： 鈴江 武彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-218577
公開番号（公開出願番号）：特開平8-083754
出願日： 1994年09月13日
公開日（公表日）： 1996年03月26日
要約：

【要約】【目的】 レジスト膜中における定在波効果を低減し、それによって、レジスト膜厚によらず所望の寸法のパターンが得られるパターン形成方法を提供する。【構成】 基板上に、微細な凹凸をその表面に不規則に有する膜を、露光光に対して吸収性を有する材料で形成する工程、前記微細な凹凸を有する吸収性膜上に感光性組成物を塗布し、樹脂層を形成する工程、前記樹脂層にパターン露光を施す工程、および、前記露光後の樹脂層を、現像液を用いて現像処理する工程を具備するパターン形成方法である。微細な凹凸は、その凸部のピーク間の距離及び深さが、レジスト膜中での露光波長以下であることが好ましい。

請求項（抜粋）：

基板上に、微細な凹凸をその表面に不規則に有する膜を、露光光に対して吸収性を有する材料で形成する工程、前記微細な凹凸を有する吸収性膜上に感光性組成物を塗布し、樹脂層を形成する工程、前記樹脂層にパターン露光を施す工程、および前記露光後の樹脂層を、現像液を用いて現像処理する工程を具備するパターン形成方法。

IPC (2件)：

H01L 21/027 ,  G03F 7/11 503

FI (2件)：

H01L 21/30 563 ,  H01L 21/30 574