特許

J-GLOBAL ID：200903025945429362

絶縁膜構造

発明者： 室山 雅和
出願人/特許権者： ソニー株式会社
代理人 (1件)： 船橋 國則
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-252540
公開番号（公開出願番号）：特開平10-098099
出願日： 1996年09月25日
公開日（公表日）： 1998年04月14日
要約：

【要約】【課題】 下地無機層と有機層とを積層してなる半導体装置用の低誘電膜は、下地無機層と有機層膜との密着性が悪く熱ストレス等によって剥がれが生じる。【解決手段】 酸化シリコン系の下地無機層とフッ素樹脂系の有機層との間に、、アルコキシル基及びハロゲンの少なくとも一方とフルオロアルキル基とを有する絶縁性材料からなる密着層を設ける。このような絶縁性材料としては、トリフルオロプロピルトリエトキシシランを用いる。

請求項（抜粋）：

基板上に設けられた酸化シリコン系の無機材料からなる下地無機層と、この上面に積層されたフッ素樹脂からなる有機層とからなる絶縁膜構造において、前記下地無機層と前記有機層との間には、アルコキシル基及びハロゲンの少なくとも一方とフルオロアルキル基とを有する絶縁性材料からなる密着層を設けたこと、を特徴とする絶縁膜構造。