特許
J-GLOBAL ID:200903025951389135

クロムめっき製品の製造方法

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (3件): 高橋 祥泰 ,  岩倉 民芳 ,  高橋 祥起
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2005-239871
公開番号(公開出願番号):特開2007-056282
出願日: 2005年08月22日
公開日(公表日): 2007年03月08日
要約:
【課題】基材の種類に関係なく、短時間で、耐腐食性に優れたクロムめっき製品を製造できるクロムめっき製品の製造方法を提供すること。【解決手段】クロムめっき膜21と、これを被覆するクロムの酸化皮膜22との複合皮膜2が、基材3の表面に形成されたクロムめっき製品1の製造方法である。該製造方法においては、めっき工程とプラズマ処理工程とを行う。めっき工程においては、基材3の表面にクロムめっきを施して、クロムめっき膜21を形成する。プラズマ処理工程においては、クロムめっき膜21の表面にプラズマ処理を施して、クロムめっき膜21の表面に酸化皮膜22を形成する。また、プラズマ処理工程においては、NaCl水溶液中で、Ag/AgCl電極を基準電極としたときの複合皮膜2の自然電極電位が-0.3V以上となるように制御する。【選択図】図1
請求項(抜粋):
クロムめっき膜と、該クロムめっき膜を被覆するクロムの酸化皮膜との複合皮膜が、基材の表面に形成されたクロムめっき製品の製造方法において、 上記基材の表面にクロムめっきを施して、上記クロムめっき膜を形成するめっき工程と、 上記クロムめっき膜の表面にプラズマ処理を施して、上記クロムめっき膜の表面に上記酸化皮膜を形成するプラズマ処理工程とを有し、 該プラズマ処理工程においては、NaCl濃度が5重量%でpH10〜11のNaCl水溶液中で、Ag/AgCl電極を基準電極としたときの上記複合皮膜の自然電極電位が-0.3V以上となるように制御して、上記プラズマ処理を行うことを特徴とするクロムめっき製品の製造方法。
IPC (3件):
C25D 5/48 ,  C23C 8/36 ,  C25D 5/14
FI (3件):
C25D5/48 ,  C23C8/36 ,  C25D5/14
Fターム (14件):
4K024AA02 ,  4K024AA03 ,  4K024AA09 ,  4K024AB04 ,  4K024BA12 ,  4K024BB02 ,  4K024BC01 ,  4K024DB01 ,  4K024EA01 ,  4K024GA02 ,  4K024GA04 ,  4K028BA05 ,  4K028BA11 ,  4K028BA22
引用特許:
出願人引用 (2件) 審査官引用 (5件)
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